氧化锆CMP抛光液
CAS 编号: 1314-23-4
纳米氧化锆基CMP（化学机械平坦化）抛光液，用于半导体晶圆抛光。磨料中位粒径d50 <80 nm，粒度分布严格控制。在STI（浅沟槽隔离）和ILD（层间介质）抛光工艺中，提供优异的材料去除速率（MRR）和低缺陷率。
技术规格
| abrasive | 纳米ZrO₂ |
| pH range | 2 – 11（视配方而定） |
| appearance | 白色至类白色悬浮液 |
| solids content | 5 – 30 wt%（可调） |
| median particle size | d50 < 80 nm |
| coarse particle count | ≤100个/mL（>0.5 μm，LPC） |
应用领域
- 半导体STI（浅沟槽隔离）抛光
- ILD（层间介质）CMP
- 光学玻璃和镜片抛光
- 蓝宝石基板平坦化
- 高级陶瓷精加工
产品特点
- 亚80 nm磨料，先进节点无划伤抛光
- 高去除速率，片内均匀性优异
- 超低大颗粒计数——最大限度减少微划伤
- pH值和固含量可根据工艺需求调节
- 长保质期，具有防沉降稳定化处理